===== 1. 입찰공고문.hwp =====
입 찰 공 고 문
본 입찰은 국가전자조달시스템인 나라장터(www.g2b.go.kr)에서 실시합니다.
1. 입찰개요
가. 입 찰 명 : 한림대학교 첨단반도체소부장 인재양성 부트캠프 사업단 웨이퍼식각기 납품 업체 선정
나. 예
산 : 95,700,000원(VAT포함)
다. 입찰 개요 : 1단계 규격제출 1단계 규격평가 투찰기간 개찰 ‘26. 10. 27.(화) 11:00까지 ‘26. 10. 28.(수)
‘26. 10. 29.(목)~‘26. 11. 2.(월)
14:00까지 ‘26. 11. 2.(월) 15:00이후 다. 입찰품목 및 수량 : 규격서 참조
2. 입찰방법 : 2단계경쟁입찰(모집공고일로부터 현재 아래 조건을 충족할 수 있는 업체)
가. 입찰공고일 기준으로 등록취소, 휴업, 업무정지나 기타 행정관청의 행정처분을 받지 아니한 업체
나. 1단계 규격평가 후 80점 이상 득한 업체에 한해서 투찰자격을 줌.
3. 낙찰자 결정 방법
가. 1단계 규격 평가를 통과한 업체 중 예정가격 이하 최저가격을 제안한 업체
나. 26년 12월 31일 이전 까지 납품 가능한 업체
4. 전자입찰보증금 납부
가. 입찰금액의 5/100 이상에 해당하는 입찰 이행보증보험증권을 입찰등록 마감 시까지 납부하여야 함.
나. 낙찰자가 소정의 기일내에 계약을 체결하지 않을 경우 입찰보증금은 본교에 귀속됨.
5. 1단계 규격평가 제출서류
가. 업체실적평가 1부 ※ 납품실적리스트 (실적 증빙서류 : 계약서 사본, 세금계산서 등)
나. 업체기업신용도평가등급 1부
다. 물품규격서 및 물품세부내역서(제안 모델명 명시) 1부
라. 사업자등록증 1부
마. 제안요약서(평가표 확인 후 1~2장으로 작성) 1부
※ 제출서류
- 메일제출 : [email protected].
6. 전자입찰시 첨부서류(나라장터) 가. 견적서(업체 고유양식) 1부.
나. 입찰(이행)보증보험증권 한림대학교 5%(221-82-10284 대표자 강일준)
7. 입찰의 무효 : 국가를 당사자로 하는 계약에 관한 법률 시행규칙 제44조의 규정에 의함.
8. 유의사항
가. 본 입찰은 각종 경비 및 부가세 등을 포함한 총액 입찰임.
나. 본 입찰은 전자입찰로서, 전자조달시스템(나라장터(www.g2b.go.kr))를 통해 투찰하여야 하며, 미가입 업체는 먼저 나라장터에 가입을 한 후, 입찰참가등록서류를 모두 스캔하여 첨부하고 입찰참가등록을 하여야 함.
다. 입찰참가자는 본교 홈페이지 및 전자조달시스템(나라장터(www.g2b.go.kr))에 등록되어 있는 물품구매 입찰유의서, 물품구매 계약일반조건, 기타 계약조건 및 물품규격서 등 입찰에 관련된 모든 사항을 숙지하고 입찰에 참가하여야 함.
라. 규격서 및 전자입찰 참가 의문사항은 구매요구자에게 확인 후 응찰하시기 바라며, 이를 숙지하지 못한 책임은 응찰자에게 있으며, 입찰 등록을 필한 자는 모든 조건을 숙지하고 수락한 것으로 봄.
마. 우편입찰은 허용하지 않으며, 기타 입찰에 관한 문의사항은 한림대학교 구매관재팀(033-248-1171) 또는 나라장터 입찰공고(www.g2b.go.kr)를 규격문의 사항은 첨단산업 인재양성 부트캠프 사업단 (033-248-3572)으로 연락하시기바람니다.
2026년 10월 19일 한 림 대 학 교
===== 1. 입찰공고문.pdf =====
입 찰 공 고 문
본 입찰은 국가전자조달시스템인 나라장터(www.g2b.go.kr)에서 실시합니다.
1. 입찰개요
가. 입 찰 명 : 한림대학교 첨단반도체소부장 인재양성 부트캠프 사업단 웨이퍼식각기 납품 업체 선정
나. 예
산 : 95,700,000원(VAT포함) 다. 입찰 개요 : 1단 계 규 격 제 출 1단 계 규 격 평 가 투찰기간 개찰
‘26. 10. 27.(화 )
11:00까 지
‘26. 10. 28.(수 )
‘26. 10. 29.(목)~‘26. 11. 2.(월)
14:00까지
‘26. 11. 2.(월)
15:00이후
다. 입찰품목 및 수량 : 규격서 참조
2. 입찰방법 : 2단계경쟁입찰(모집공고일로부터 현재 아래 조건을 충족할 수 있는 업체)
가. 입찰공고일 기준으로 등록취소, 휴업, 업무정지나 기타 행정관청의 행정처분을 받지 아니한 업체
나. 1단계 규격평가 후 80점 이상 득한 업체에 한해서 투찰자격을 줌.
3. 낙찰자 결정 방법
가. 1단계 규격 평가를 통과한 업체 중 예정가격 이하 최저가격을 제안한 업체
나. 26년 12월 31일 이전 까지 납품 가능한 업체
4. 전자입찰보증금 납부
가. 입찰금액의 5/100 이상에 해당하는 입찰 이행보증보험증권을 입찰등록 마감 시까지 납부하여야 함.
나. 낙찰자가 소정의 기일내에 계약을 체결하지 않을 경우 입찰보증금은 본교에 귀속됨.
5. 1단계 규격평가 제출서류
가. 업체실적평가 1부 ※ 납품실적리스트 (실적 증빙서류 : 계약서 사본, 세금계산서 등)
나. 업체기업신용도평가등급 1부
다. 물품규격서 및 물품세부내역서(제안 모델명 명시) 1부
라. 사업자등록증 1부
마. 제안요약서(평가표 확인 후 1~2장으로 작성) 1부
※ 제출서류
- 메일제출 : [email protected].
6. 전자입찰시 첨부서류(나라장터)
가. 견적서(업체 고유양식) 1부.
나. 입찰(이행)보증보험증권 한림대학교 5%(221-82-10284 대표자 강일준)
7. 입찰의 무효 : 국가를 당사자로 하는 계약에 관한 법률 시행규칙 제44조의 규정에 의함.
8. 유의사항
가. 본 입찰은 각종 경비 및 부가세 등을 포함한 총액 입찰임.
나. 본 입찰은 전자입찰로서, 전자조달시스템(나라장터(www.g2b.go.kr))를 통해 투찰하여야 하며, 미가
입 업체는 먼저 나라장터에 가입을 한 후, 입찰참가등록서류를 모두 스캔하여 첨부하고 입찰참가등
록을 하여야 함.
다. 입찰참가자는 본교 홈페이지 및 전자조달시스템(나라장터(www.g2b.go.kr))에 등록되어 있는 물품구매
입찰유의서, 물품구매 계약일반조건, 기타 계약조건 및 물품규격서 등 입찰에 관련된 모든 사항을 숙
지하고 입찰에 참가하여야 함.
라. 규격서 및 전자입찰 참가 의문사항은 구매요구자에게 확인 후 응찰하시기 바라며, 이를 숙지하지
못한 책임은 응찰자에게 있으며, 입찰 등록을 필한 자는 모든 조건을 숙지하고 수락한 것으로 봄.
마. 우편입찰은 허용하지 않으며, 기타 입찰에 관한 문의사항은 한림대학교 구매관재팀(033-248-1171)
또는 나라장터 입찰공고(www.g2b.go.kr)를 규격문의 사항은 첨단산업 인재양성 부트캠프 사업단
(033-248-3572)으로 연락하시기바람니다.
2026년 10월 19일 한 림 대 학 교
===== 2. 규격서.pdf =====
Reactive Ion Etching(RIE) 규격서
가.장비 특성 및 품질
- 반도체 개발에 사용되는 공정장비로, 기판 위에 노광을 통한 회로 형성 후 식각 공정을 하는 장비
- 회로 구성상 여러 가지 금속 박막과 절연막을 Inductively coupled plasma를 이용하여 고집적의 회
로 형성을 하게 하는 장비로, 반응성 가스와 플라즈마를 이용하여 산화물을 선택적으로 식각하는
장비
나.상세규격
가) Specification
1. 기본적으로 각 제품의 부품들은 아래에 명시된 각 부품의 상세 사양과 동등 이상으로 공급하여야
하며, 중고부품 사용을 지양한다.
2. 본 장비를 이용한 공정조건은 다음을 만족해야 한다.
1) 6인치 웨이퍼를 이용해 테스트를 진행한다.
2) 최대 식각 깊이:500nm
3) Etching Uniformity: ±1.5% in Φ150mm / ±1.5% in Φ100mm
4) 식각 각도: 85°이상
5) 챔버의 최고 도달 진공도는 5x10-7 Torr이하여야 한다.
나)Performance
1. Process Chamber Module
A.Process Chamber
1ea
a)Material : Al6061, Hard anodizing, EMI Seal
b)Size : Ф330mm x 290mm(H), Inside
c)Type : Cylindrical, Upper door
d)Chamber Ports;
-.High vacuum pumping port: DN160ISO-K
-.Foreline, Roughing port: NW25
-.Gas Shower Port
-.Plasma Source Port
-.RF Cathode Port
-.View Port
-.Vacuum Gauge Sensor Port
-.Vent Port
-.Spare Port
B.Plasma Source unit 1unit
-.Type: Inductively coupled plasma(ICP)
-.Material: Alumina Chamber and Copper Tube
-.Plasma Source Holder
-.RF Power Block & Cooling unit
C.RF Power supply for ICP Source
1ea
-.Maximum output power: 1,000W
-.Frequency: 13.56MHz
-.Auto Matching circuit
-.Accessories: Cable, Connector(Silver plated)
D.RF Cathode unit
1unit
-.6" wafer holding.
-.Material: Copper, Water Cooling
-.RF Shield and Vacuum seal
E.RF Power supply for Cathode
1unit
-.RF Maximum output power: 300W
-.Frequency: 13.56MHz
-.Auto Matching circuit
-.Accessories: Cable, Connector(Silver plated)
2. Vacuum Module
A.Turbo morecular pump
1ea -.Type: Corrosive type
-.Port Size: DN160ISO-K
-.Pumping Speed: >450L/sec
B.Rotary Vacuum Pump
1ea
-.Pumping Speed: 400ℓ/min
-.Corosive type
-.Inlet Flange: NW25
C.High Vacuum gate valve
1ea
-.Size: DN160ISO-K
-.Type: Pneumatic
D.Roughing, Foreline Valve
2ea
-.Size: NW25, Pneumatic type
E.Vent Valve
1ea
-.Pheumatic, 1/4" VCR
F.Vacuum Gauge
1set
-.Pirani, Ion gauge sensor & Controller
-.Range: ATM ∼10-9Torr
G.Auto Pressure Control Unit
1unit
-.Pressure Controller
-.Throttle Valve(DN160ISO-K)
-.Capacitance Manometer, 0.1Torr
3. Gas Supply Module
A.Gas Shower unit
1unit
-.Type: Many of Gas Shower Hole for Etching Uniformity
-.Down Stream type
B.Gas Control unit
1unit
-.Mass Flow Controller 4ea for Ar 100sccm, O2 20sccm, N2 100sccm, CF4 Gas 50sccm
-.Controller(4 channel)
C.Gas Valve and Gas Line Unit
1unit -.Gas Stop Valve, 6ea
-.VCR Type Gas Fitting & Tube
4.System Control Module
-.PC & PLC based automation
-.Full Auto porcess control by recipe
-.Semi, automatic process control
-.Vacuum, Power, Gas Control
-.Interlock function for system safety
Auto-purge, CDA, Coolant, RF plasma turn on condition Etc.
5.Frame and utility Module
a)Main frame: 1,100mm(W)x800mm(d)x1,500mm(h)
-.Ion be painted by ivory color
-.Easy movable foot master
b)Air & Water control unit
c)Utility
-.Main power: 220V, 30A, 3Ph
-.Cooling Water: 2∼3kgf/㎠, φ12 Two Touch
-.Air: 5∼6kgf/㎠, φ6 one touch
다. 구성품 (악세사리 포함)
1.Process Chamber
1ea
- 공정을 진행하기 위해 진공분위기를 만들고 공정을 진행하기 위한 장치를 설치 하도록 꾸며진 쳄버
2.Plasma Source unit
1unit
- 고밀도 플라즈마를 생성하여 식각 속도와 정밀도를 극대화 하기 위한 장치
3.RF Power Supply for ICP Source
- Plasma Source의 RF Coil에 Power을 인가해 주는 장치임.
4.RF Cathode unit
1unit
- Catthode에 특정의 물질이 증착된 Wafer를 올려놓고 식각을 하기 위한 장치이며 RF Power를 가하
기
위한 장치와 식각시 발생하는 열을 식혀주기 위한 냉각장치가 있다.
5.RF Power Supply for Cachode
1set
- Cathode에 RF Power를 Plasma를 발생 시키고 Wafer위에 원하는 형태의 식각을 하기 위한 장치임.
6.Vacuum Module
1module
- Chamber 내부를 진공의 분위기로 만들어 주기 위한 장치로서 Rotary vacuum Pump, Turbo
Pump, Pumping Valve, 진공 측정 장치, 공저압력 제어장치로 이루어진다.
8.Gas Supply Module
1module
- 공정 시 Plasma발생용 Gas 및 반응성 Gas를 넣어주는 장치로서 Gas Shower장치, Gas 유량
제어 장치, Gas 공급 Line 및 제어장치로 구성된다.
9.System Controller
1unit
- 위의 장치들을 Control 하기 위한 장치로서 Controller뿐만 아니라 안전을
위한 Safty Interlock 및 Utility 구성을 포함한다.
라. 장비설치 및 검수
- 장비 설치 및 조정
장비 공급자는 한림대학교내 지정하는 장소에 장비를 설치하고 정상 작동을 위해 아래에
요구되는 모든 조건 및 공정 결과를 충족하여야 한다.
마. 교육훈련
- 납품/설치 후 2년간 장비와 관련된 교육은 구매자의 요구가 있을시 무상으로 실시한다.
- 반도체공정, 나노공정 등 박막공정을 교육하는 학과 교과목의 실습을 지원한다. (1과목/학기)
- 다음과 같은 교육은 별도의 협의가 없어도 필수적으로 수행되어야 한다.
* 장비 작동법 교육
* 유지보수 교육
* 프로그래밍 교육
바. 하자보증
- 장비의 하자보증 기간은 납품후 1년으로 한다.
- 하자보증 기간 중 정상적인 작동 상태에서 발생하는 모든 결함은 장비 공급자의 책임 하에
무상으로 수리되어야 한다.
- 공급자는 장비의 소모품 판매, 취급 및 장비의 원활한 유지관리에 협조하여야 한다.
- 공급자는 납품완료 이전에 발생한 하자 또는 장애(이하“하자”)를 포함하여 하자보증기간에 발생한
일체의 물품하자에 대하여 이를 무상으로 조속히 보수하여 정상 가동상태로 복귀시켜야 한다.
- 하자보증기간이 경과 후에도 지속적인 교육운영과 장비 유지보수를 위한 필요부품을 보유하고 있어
야하며, 장비사용자의 요청에 의해 1주일이내 실비로 납품 또는 보수할 수 있도록 준비하여야 한다
사. 납기
- 계약일로부터 30일 이내
아. 기타사항
본 계약에 정하지 아니한 사항이나 본 계약 후 오류나 애매한 사항이 발견되면 계약자는 서면으로 그
진의를 질의하여야 하며, 의견의 차이가 있을 때에는 상호 협의하여 결정하도록 한다.
===== 3. 평가표.hwp =====
RIE 규격 평가표
업체명 : 평가자 : (서명)
※ 1단계 통과기준 : 기술제안서 100점 만점 중 80점 이상을 득한 업체
구분 평가항목 등급 및 배점기준 비고 실적평가(12) - 최근 3년간 실적 해당분야 실적 1억원 이상 12 8천만원 9 5천만원 6 기 5천만원 미만 3 업 평 회사채에 대한 신용평가등급 기업어음에 대한 신용평가등급 기업신용평가등급 증빙 서류 BBB0 이상 A30 이상 BBB0 이상 8 가 제출 (20) 경영상태(8) BB- 이상 (BBB-, BB+, BB0, BB-) B0 이상 (A3-, B+, B0) BB- 이상 (BBB-, BB+, BB0, BB-) 6 B- 이상 (B+, B0, B-) B- B- 이상 (B+, B0, B-) 4 CCC+ 이하 C 이하 CCC+ 이하 2 소 계 점 기술적 적합도 배점(총 50점) 점수 기 - 기술적 적합성(25) 25 20 15 10 0 술 - 기술적 수준(25) 25 20 15 10 0 능 력 공급자의 역량 배점(총 10점) 점수 평 가 (100) 제 - 유지보수 및 사후관리(5) 5 4 3 2 1 품 기 - 기술지원 능력(5) 5 4 3 2 1 술 평 장비의 편의성 배점(총 20점) 점수 가 (80) - 설치 및 공정 연계 적합성(10) 10 8 6 4 0 - 유지 관리의 편의성(10) 10 8 6 4 0 소 계 점 합 계 점